收藏本站
Test Circuits and Waveforms
V DS
L
BV DSS
V G
R GEN
DUT
-
V DD
I AS
t P
V DS
V DD
0V
+
V GS tp
vary t P to obtain
required peak I AS
I AS
0.01 ?
t AV
Figure 14. Unclamped Inductive Load Test
Circuit
Drain Current Regulator
Same type as DUT
Figure 15. Unclamped Inductive Waveforms
-
10V
50k ?
10V
Q G
+
10 μ F
1 μ F
-
+
V DD
V GS
Q GS
Q GD
V G
DUT
I g(REF)
Figure 16. Gate Charge Test Circuit
Charge, (nC)
Figure 17. Gate Charge Waveform
V DS
R L
t ON
t d(ON)
t OFF
t d(OFF)
R GEN
V GS
DUT
-
V DD
+
V DS
90%
t r
t f
90%
V GS
Pulse Width ≤ 1 μ s
Duty Cycle ≤ 0.1 %
0V
V GS
0V
10%
10%
50%
Pulse Width
90%
50%
10%
Figure 18. Switching Time Test Circuit
FDD6637 Rev. C2(W)
Figure 19. Switching Time Waveforms
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FDD6670A MOSFET N-CH 30V 15A DPAK
FDD6680AS MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
FDD6682 MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
FDD6685 MOSFET P-CH 30V 11A DPAK
FDD6690A MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
FDD6760A MOSFET N-CH 25V 27A DPAK
FDD6770A MOSFET N-CH 25V 24A DPAK
FDD6778A MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
相关代理商/技术参数
FDD6637 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -35V, 13A, TO-252
FDD6637_06 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:35V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6637_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench?? MOSFET -35V, -21A, 18m??
FDD6637_F085 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 35V 13A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD6644 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD6644S 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD6670 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDD6670A 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube